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激光隐切作为半导体制造领域中极具创新性的非接触式切割技术,凭借其独特的工作原理展现出显著优势。它通过将高能量激光束聚焦于晶圆材料内部特定深度,形成改性层,后续再通过外力或热应力使材料沿改性层精准分离,整个过程不会与材料表面发生直接接触,从而有效避免了传统切割方式可能造成的边缘崩裂、材料损伤等问题,实现了对半导体材料微米级甚至纳米级的精准切割,切割效率较传统工艺提升显著,能大幅缩短生产周期。